Micro-LED显示技能是一种将尺寸微缩化的半导体发光二极管（LED）以矩阵景象高密度地集成正在一个芯片上的显示技能，是LED芯片与平板显示创修 的交叉学科操纵技能。相较于LCD与○和OL ED显示技能，除了财产链成熟度与创修本钱，Micro-LED显▽示技 能正在亮度画…面破裂器▽、反响速率、功耗、透后度、安谧性等方面具有明显上风，被普及 以为是下 一○代主流显示 ○技能。怎样竣工效果、精度、良率兼具的▽巨量挪动集成 ◁是学术和财产界 配合体贴的闭节重心◁题目之一。正在百舸争流的浩瀚挪动技能中，激光巨量挪动技能慢慢脱颖而出，承载着M▽icro- LED 财 产化征程的期盼。

　　不日，厦门大学、厦门市他日显示技能磋议院和天马微电子构成的 团结研发团队正在SCIENCE CHINA Inform ation Sci■enc es杂志楬橥了题为“Sup□er retina TFT ba sed f○ull col□or▽ microLED display via○ laser mass transfer”的磋议论文画面破裂器<▽□/strong>。论文深□ 远斟酌了面向超高像素密度TFT基Micro-LED全彩显示操纵的激光巨量挪动集成闭节技 能题目，并对激光剥离、激光挪动修复、面板键合等制程所面对的工艺、设备○及资料 的寻 事实行了编○制领 =悟。团队立异性提出了提拔挪动效果与良率的新举★措和新技能，正在业内初次△凯旋创修出像素密度高达403PPI的超视网膜显示TFT基Micro-LED全彩屏，标记着Mic ○ro-LED显示技能的一项宏大打破。

　　磋议立异点一：基于激光匀化光斑辐照计划，竣工图形化○衬底G△aN□基Micro-LE D芯片的高质地衬底剥离。

　　方今，采用266 nm波长的半导体泵浦固体激光（DP○SS激光）对图形化衬底（PSS）GaN基Micro-LED实行激光剥离（ LLO ） 时，存正在工艺窗口小，芯片易浮现断裂Bsports必一体育COB小间距LED显示屏画面分割器、角落破损等题目。针对这一题目，团队应用光子追□踪法模仿了PS S□和GaN界★面的能★量漫衍            CO B 小间距LED显示屏< ○/strong>，进而提出激光匀化光斑辐照计划，竣工图形化○衬 底■GaN基Micro-LED芯片的★○高质 地衬 底剥离，良率赶过99%。    

　　图2 Micro- LED FCoC芯片的光学显△微镜下… 图像：（a）蓝光，（b）绿光和（c）红光；放大后的Micro○-◁LE D 芯片共聚△焦激△光扫描显 微镜图 像：（d）蓝光，（e）绿光和（f）红光？

　　磋议立异点二：提出了 激■■光 巨◁量 ▽△挪 动■众因○子相闭决议 ▽计划，通过对挪动资料物理性情、激光辐照能量、芯片辐照毁伤等因子归纳评议，明显提拔激光巨量挪动的效果、精度 与良率COB○小 间距LED 显示屏。

　　针对超高像素密度Micro-LED全彩显示屏对芯片激光巨量挪动定位精度与 良率的苛苛条件，团队提出 △一种激光巨量挪动经过的众因子相闭决议计划，如图3所示COB小间距LED显示屏。搜罗：1）基△于激光○与挪动胶彼此效○◁率形式，对挪动胶类型遴选实行归纳评判；2）激光能量局限…与挪动 胶厚度相 闭调控，确保正在无毁 伤情状下竣工芯▽ 片的高精度、高良率挪动；3）采用自愿光学检测 ○（AOI▽ ）/P○L检测定○位，对不良芯片实行原位修复。

　　遵照上述决议计划，团队对挪动资料物理性情、激光辐照能量、明显提拔激光巨量挪动的效果Bsports必一体育柔性LED显示屏COB小间距LED显示屏，、精度与良率，挪动效果达36kk/h，个中= ○蓝○和绿光 =芯 ▽ 片一◁▽次 …□挪 ○动★良率达△99。87%，红光芯片一次挪动良率达99。76%。进一步采★用 266nm…激光 ★ ★实○◁ 行修 复，修复后良率达99。999%。

　　图★4（a ） G★B- △○○A◁C oC部门芯片摆列的SEM图像（△ 侧 视图 ）；（b）GB-ACoC芯片的光学显微镜图像；（c）与（b ） 图同视=场下芯片◁PL显微镜图像；（d）R-ACo C部门芯片摆列的SEM图像（侧 视图）；（e）R- ACoC芯片 的光学显微镜图像；（f）与（e）图同视场下芯片PL显微镜图像？

　　基于以上立异技。